Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров: профессиональная переподготовка

Программа профессиональной переподготовки адресована специалистам с высшим образованием, которые хотят освоить новое направление - проектирование и выпуск полупроводниковых лазеров. Обучение построено с нуля для этого профиля, поэтому не требует второго высшего, а даёт полный набор компетенций для работы в новой сфере. Выпускники получают диплом о профессиональной переподготовке с присвоением квалификации специалиста в области разработки полупроводниковых лазеров.

Этот диплом подтверждает право занимать должность ведущего инженера-конструктора, а также другие позиции, связанные с созданием лазерных устройств и технологических процессов их производства. Документ пригодится при трудоустройстве в компании микроэлектроники и оптоэлектроники, при прохождении внутренних аттестаций и при подтверждении квалификации. Программа рассчитана на тех, кто уже имеет базовую инженерную или техническую подготовку и планирует расширить свои профессиональные возможности за счёт востребованной специальности в высокотехнологичной отрасли.

1. Разработка новой модели полупроводникового лазера
2. Поиск и анализ существующих технических решений для реализации параметров разрабатываемой модели полупроводникового лазера
3. Проведение расчетов для определения необходимых требований к параметрам гетероструктуры и конструкции излучающего элемента полупроводникового лазера
4. Разработка технологического маршрута изготовления новой модели полупроводникового лазера
5. Разработка исходных данных для оформления конструкторской документации на новую модель полупроводникового лазера
6. Подготовка исходных данных для оформления документации по патентной защите интеллектуальной собственности - новой модели полупроводникового лазера

Слушатели программы осваивают деятельность разработчика полупроводниковых лазеров с базовых этапов: от анализа существующих аналогов и постановки задачи до выпуска конструкторской документации. В ходе обучения отрабатывается поиск в научно-технической литературе лазеров с близкими характеристиками, сравнительный анализ их конструкций и технологий изготовления. На основе собранных данных слушатели учатся формулировать требования к параметрам гетероструктуры и излучающего элемента, проводить компьютерное моделирование характеристик излучения, рассчитывать необходимые параметры и выбирать оптимальную конструкцию.

Практическая часть включает разработку совместно с технологами полного маршрута изготовления новой модели: от определения операций до предложений по модернизации оборудования. Выпускники получают навыки подготовки исходных данных для конструкторской документации и патентной защиты, а также согласования документации с производственными подразделениями с учётом технологических особенностей. Таким образом, программа последовательно формирует все компетенции, необходимые для самостоятельного проектирования и внедрения в производство новых полупроводниковых лазеров.

• Составление плана поиска различных типов лазеров с характеристиками, близкими к характеристикам разрабатываемого полупроводникового лазера
• Проведение поиска лазеров с близкими характеристиками в специальной научной и научно-технической литературе, в современных источниках информации согласно составленному плану
• Определение по результатам анализа специальной научной и научно-технической литературы конструкции и технологии изготовления разрабатываемого полупроводникового лазера
• Постановка задачи и определение набора параметров, с учетом которых должно быть проведено моделирование характеристик излучения разрабатываемого полупроводникового лазера
• Разработка математической программы и компьютерное моделирование параметров разрабатываемого полупроводникового лазера
• Определение по результатам расчетов требований к полупроводниковой гетероструктуре и конструкции излучающего элемента лазера
• Анализ возможности реализации расчетных параметров в различных вариантах конструкции разрабатываемого полупроводникового лазера
• Разработка совместно с технологами технологического маршрута изготовления лазера
• Внесение предложений о разработке новых технологических процессов изготовления новой модели полупроводникового лазера
• Внесение предложений о необходимости приобретения или разработки нового оборудования для изготовления новой модели полупроводникового лазера
• Согласование сроков разработки новых технологических операций изготовления новой модели полупроводникового лазера
• Согласование разработанной конструкторской документации с технологами с учетом особенностей технологического маршрута изготовления полупроводникового лазера